型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H7N0307LD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

H7N0307LD

Transistors>Switching/MOSFETs

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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H7N0307LD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0307LD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-1-5 18:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI
24+
TO263
5200
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
RENESAS
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HITACHI
24+
TO263
65200
一级代理/放心采购
RENESAS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障

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