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H7N0307LD-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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H7N0307LD-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0307LD-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L)

更新时间:2025-10-18 18:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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21+
TO-252
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
2450+
TO263-3
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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TO-252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单
HIT/日立
23+
SOT-263
691878
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
HITACHI
24+
TO263
65200
一级代理/放心采购
RENESAS
23+
TO-252
48281
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
R
LDPAK
22+
6000
十年配单,只做原装

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