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H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307AB	Power MOSFETs	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307AB_05	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307AB_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：102.75 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307AB-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0307LD-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2026-3-2 17:45:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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瀚佳科技(深圳)有限公司	H7N0307LM	HITACHI	24+	TO263	65200	一级代理/放心采购	询价

H5TQ4G83CFR-RDC中文资料PDF
H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
2022-12-28
H5TQ4G83CFR-RDC绝对全新原装正品特价销售
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2022-10-27
H9HCNNNCPUMLHR-NME
H9HCNNNCPUMLHR-NME 电子元器件 SKHYNIX 封装BGA
2022-7-22
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H9HCNNNBPUMLHR-NME 存储IC SK hynix 封装FBGA
2022-7-22
H9DA1GH25HBMBR-4EM 海力士/SKHynix内存芯片 H9DA1GH25HAMBR-4EM 鸿裕兴电子
H9DA1GG51JCMCR-4EM H9DA1GG51JBMCR-4EM H9DA1GG51HCMBR-4EM H9DA1GG51HAMMR-4EM H9DA1GG51HAMBR-4EM H9DA1GG25HBMBR-4EM H9CCNNNBPTMLBR-NTM H9CCNNNBLTMLAR-NTM H9CCNNN8JTMLAR-NTM
2020-7-16
H6MM，DEV-KIT-C，CBL-H6DC-3
H6 可配置数字倾角仪 Rieker H6 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，通过水下最深 30 M 测试，非常适合大多数环境
2019-8-23