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24A,600VDPMOSPOWERTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETproducedusingSilan’sDPMOStechnology.It achieveslowconductionlossandswitchinglosses.Itleadsthedesign engineerstotheirpowerconverterswithhighefficiency,highpower densit

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SILAN

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:281.56 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

N-ChannelPowerMOSFET

文件:2.88047 Mbytes Page:6 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
更新时间:2025-6-5 23:00:01
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FAIRCHILD
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TO-247
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只做原装正品

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    2019-4-16
  • G2995-DDR终端稳压器

    概述在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3(系列存根终止逻辑)的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

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