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FQD2N90TM价格
参考价格：￥2.6922
型号：FQD2N90TM 品牌：Fairchild 备注：这里有FQD2N90TM多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FQD2N90TM批发/采购报价，FQD2N90TM行情走势销售排行榜，FQD2N90TM报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQD2N90TM | N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
Drain Current ID= 2A@ TC=25C 文件：68.03 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：203.7 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：186.37 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | |
FQD2N90TM产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD2N90TM
- 功能描述
MOSFET 900V N-Channel QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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D-PAK |
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FQD1N80TM，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-21FQD20N06
FQD20N06，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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可立即发货
2019-9-24FQD7P20TM
FQD7P20TM，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-29
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