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精确

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Features

• 2.2 A, 900V, RDS(on) = 7.2 Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 12 nC)

• Low Crss ( typical 5.5 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

FQI2N90供应商...

更新时间：2026-7-30 14:31:00

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