型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGW30N60VD

Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 30A

文件:656.97 Kbytes Page:8 Pages

Fuji

富士通

FGW30N60VD

分立 IGBT

Fuji

富士通

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

文件:1.9827 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

文件:672.35 Kbytes Page:15 Pages

DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:281.61 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:264.01 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

FGW30N60VD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGW30N60VD

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    IGBT 30A 600V Trench-FS V Series TO247

更新时间:2025-11-6 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
24+
NA/
1180
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FUJI原装
25+
TO-247
980
原装正品,假一罚十!
FUJI
15+
TO-247
1180
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FUJI
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
FUJITSU/富士通
1909
3000
原装现货支持BOM配单服务
FUJI/富士电机
2450+
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
FUJI
25+
TO-247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
FUJI原装
25+23+
TO-247
22609
绝对原装正品全新进口深圳现货
FUJI原装
24+
TO-247
30980
原装现货/放心购买
FUJI
24+
TO-247
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十

FGW30N60VD数据表相关新闻