FGY75N60SMD
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: Power-247
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
Pd-功率耗散: 750 W
系列: FGY75N60SMD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
2N3904BU
FGY75N60SMD
FQP17P10
FQD12N20TM
FQD18N20V2TM
FQPF33N10
FGA50N100BNTD2
1N4006
FAN7602BM
FAN7602BMX
FDD6N50TM
FGA15N120ANTD
FDC6321C
SGH80N60UFD
SGH80N60UFDTU
FQP6N80C
FDC6331L
FQD2N60CTM
FDC638APZ
LM7809CT
KA5M0365RN
KA5M0365RTU
FQP8N60C
FOD817C300
FDMS86101
FQP6N90C
FAN6862TR
FAN6862RTY
FCPF20N60
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联系人：朱小姐
