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FGH50T65SQD

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

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安森美半导体

FGH50T65SQD

FGH50T65SQD: 650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT

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IGBT,650V,50A,场截止 4 沟槽

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安森美半导体

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

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安森美半导体

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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安森美半导体

Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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Hybrid IGBT 50A, 650V

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更新时间:2025-12-30 10:09:00
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