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AFGHL50T65SQDC

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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安森美半导体

AFGHL50T65SQDC

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 650V A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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AFGHL50T65SQDC

Hybrid IGBT 50A, 650V

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Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

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更新时间:2025-8-11 20:00:00
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