时间：2022-2-23 11:27:00
FGH60N60SMD IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
产品属性
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247
安装风格: Through Hole
集电极—发射极MAX电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极MAX电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 600 W
工作温度: - 55 C to + 150 C
系列: FGH60N60SMD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.390 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
600V, 60A Field Stop IGBT | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | ||
IGBT - Field Stop 600 V, 60 A | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
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600V, 60A Field Stop IGBT | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | ||
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Field-Stop IGBT | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
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