FGH60N60SMD

制造商编号：

FGH60N60SMD

制造商：onsemi / Fairchild

说明：

IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

数据表:

FGH60N60SMD 数据表 (PDF)

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制造商: onsemi

产品种类: IGBT 晶体管

REACH - SVHC:

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 120 A

Pd-功率耗散: 600 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: FGH60N60SMD

封装: Tube

商标: onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

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子类别: IGBTs

单位重量: 6.390 g