FGD3N60UNDF价格

参考价格:¥2.8742

型号:FGD3N60UNDF 品牌:Fairchild 备注:这里有FGD3N60UNDF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGD3N60UNDF批发/采购报价,FGD3N60UNDF行情走势销售排行榜,FGD3N60UNDF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGD3N60UNDF

Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild짰?셲 the NPT vIGBTs offer the optimum performance for low-power inverterdriven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential.

文件:1.036569 Mbytes Page:10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGD3N60UNDF

600 V,3 A,短路额定 IGBT

ONSEMI

安森美半导体

3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 3N60 is a high voltage and high current power MOSFET , designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

UTC

友顺

3 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:363.66 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

文件:442.29 Kbytes Page:9 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

Fast Switching

文件:49.9 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08665 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FGD3N60UNDF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGD3N60UNDF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 13:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON
23+
SOT-252
202
全新原装正品现货,支持订货
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
38000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
三年内
1983
只做原装正品
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON
23+
SOT-252
202
正规渠道,只有原装!
FAIRCHILD
23+
TO-252
53210
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
ON/安森美
2447
TO-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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