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芯片资料

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参考价格：￥11.5696

型号：FGB20N60SFD 品牌：Fairchild 备注：这里有FGB20N60SFD多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FGB20N60SFD批发/采购报价，FGB20N60SFD行情走势销售排行榜，FGB20N60SFD报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
FGB20N60SFD	600V, 20A Field Stop IGBT General Description Using novel field-stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field-stop IGBTs offers the optimum performance for automotive chargers, inverters, and other applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low sat	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGB20N60SFD	IGBT，600V，20A，场截止	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
20N60	20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET ■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand	UTC 友顺	UTC
20N60B	HiPerFAST IGBT VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity	IXYS 艾赛斯	IXYS
20N60	Fast Switching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
20N60	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N60A	20A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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更新时间：2025-11-24 20:00:00

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深圳市富利微电子科技有限公司	FGB20N60SFD	ON/安森美	24+	D2PAK	30000	原装正品公司现货,假一赔十!	询价

FGD5T120SH IGBT 晶体管 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
原装现货原厂正品假一罚十
2022-3-30
FGH15T120SMD
FGH15T120SMD
2021-9-7
FGA60N65SMD原装正品假一赔十
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2021-1-14
FGA60N65SMD只有原装深圳现货
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2020-12-31
FGH40N60SFDTU
650 V TO-247-4 IGBT 晶体管 , 4.5 kV IGBT 晶体管 , 650 V TO-247 IGBT 晶体管 , 1200 V Si 300 A IGBT 晶体管 , 650 V Si 100 A IGBT Transistors IGBT 晶体管 , 600 V Single Through Hole 40 A IGBT 晶体管
2020-6-29
FGA60N65SMD
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2020-6-29