FGA60N65价格

参考价格:¥21.8295

型号:FGA60N65SMD 品牌:Fairchild 备注:这里有FGA60N65多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGA60N65批发/采购报价,FGA60N65行情走势销售排行榜,FGA60N65报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

650 V, 60 A Field Stop IGBT

Features • Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC • Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V(Typ.) @ IC = 60 A • Fast Switching : EOFF = 7.5 uJ/A • Tighten Parameter Distribution • RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

文件:3.23672 Mbytes Page:12 Pages

Fairchild

仙童半导体

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

IGBT,650V,60A,场截止

ONSEMI

安森美半导体

650V/60A Trehch Field Stop IGBT

Features  650V 60A,VCE(sat)(typ.) = 2.3 V@60A  Field Stop IGBT Technology.  10μs Short Circuit Capability.  Square RBSOA.  Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits  High Efficiency for Welding, Inductive heating, UPS and other high frequency application  Rugged Performanc

LUGUANG

鲁光电子

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件:1.99377 Mbytes Page:10 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

650V /60A Trench Field Stop IGBT

文件:1.21809 Mbytes Page:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

FGA60N65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA60N65

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 650V, 60A Field Stop IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-247
10648
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON/安森美
21+
TO-3P
5000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
25+
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FAIRCHILD/仙童全新现货FGA60N65SMD即刻询购立享优惠#长期有排单订
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21+
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只做原装正品
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全新原装公司现货
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