FGA40T65SHD是Fairchild Semiconductor推出的一款IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块。以下是该产品的主要功能和特点：
1. 高开关速度：FGA40T65SHD具有快速的开关速度，使其适用于高频应用，能够实现快速的开关操作。
2. 低饱和压降：该IGBT模块具有低饱和压降特性，能够减少导通损耗，提高系统效率。
3. 高电流承受能力：FGA40T65SHD能够承受较高的电流，适用于高功率应用，能够提供稳定可靠的电流传输。
4. 高温特性：该IGBT模块具有较高的温度特性，能够在高温环境下稳定工作，适用于苛刻的工业应用。
5. 高耐压能力：FGA40T65SHD具有高耐压能力，能够承受较高的电压，适用于高压应用场景。
6. 低开关损耗：该IGBT模块具有低开关损耗特性，能够降低系统的能耗，提高能源利用效率。
7. 高可靠性：FGA40T65SHD具有高可靠性，经过严格的品质控制和测试，适用于长时间运行和严苛的工作环境。
8. 应用领域：该IGBT模块广泛应用于工业控制、电力电子、电力传输和变换、电动汽车、太阳能逆变器等领域，用于实现高效的功率控制和转换功能。
技术参数
耗散功率268000 mW
击穿电压(集电极-发射极)650 V
反向恢复时间31.8 ns
额定功率(Max)268 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)268000 mW
封装参数
安装方式Through Hole
引脚数3
封装TO-3-3
外形尺寸
封装TO-3-3
物理参数
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他
产品生命周期Active
包装方式Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准Lead Free
