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FGA60N65SMD	650 V, 60 A Field Stop IGBT Features • Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC • Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V(Typ.) @ IC = 60 A • Fast Switching : EOFF = 7.5 uJ/A • Tighten Parameter Distribution • RoHS Compliant	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA60N65SMD	封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件描述：IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA60N65SMD	IGBT，650V，60A，场截止	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA60N65SMD	New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications 文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
GW60N65SEU	650V/60A Trehch Field Stop IGBT Features  650V 60A,VCE(sat)(typ.) = 2.3 V@60A  Field Stop IGBT Technology.  10μs Short Circuit Capability.  Square RBSOA.  Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits  High Efficiency for Welding, Inductive heating, UPS and other high frequency application  Rugged Performanc	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BRG60N65D	Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package 文件：1.99377 Mbytes Page：10 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
HMG60N65FT	650V /60A Trench Field Stop IGBT 文件：1.21809 Mbytes Page：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

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更新时间：2025-11-16 20:00:00

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