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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FGA50N60LS | IGBT 文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
FGA50N60LS | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 100A 240W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FGA50N60LS | IGBT | ONSEMI 安森美半导体 | | |
IGBT - Field Stop II 文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar3 HiperFET Power MOSFET 文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
FGA50N60LS产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGA50N60LS
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD |
28+ |
TO-3P |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSC |
24+ |
NA |
27003 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-3P |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
仙童 |
05+ |
TO-247 |
900 |
原装进口 |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO247 |
14231 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-3P |
8866 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
2275 |
||||
FAIRCHILD |
TO247 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
FGA50N60LS规格书下载地址
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2020-6-29
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