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IGB50N60T价格
参考价格：￥15.3692
型号：IGB50N60T 品牌：Infineon 备注：这里有IGB50N60T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IGB50N60T批发/采购报价，IGB50N60T行情走势销售排行榜，IGB50N60T报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IGB50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V applications | Infineon 英飞凌 |   | |
IGB50N60T | Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IGB50N60T | Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT - Field Stop II 文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar3 HiperFET Power MOSFET 文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
IGB50N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGB50N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
P-TO-263-3 |
2524 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
INFINEON |
23+ |
50A,600V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263-3 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工厂现货!原装正品! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
IGB50N60T芯片相关品牌
IGB50N60T规格书下载地址
IGB50N60T参数引脚图相关
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2023-10-6IFX54441EJV33XUMA1
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IFX54441EJV33XUMA1
厂商名称 Infineon 包装说明 ， Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 Factory Lead Time 8 weeks Samacsys Description INFINEON - IFX54441EJV33XUMA1 - LDO， FIXED， 3.3V， 0.3A， HSOIC-8 湿度敏感等级 3 峰值回流温度（摄氏度） 260 调节器类型 ADJUSTABLE POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
2021-10-12IGBT 模块 Infineon Technologies DD800S17K3_B2
IGBT 模块 1.7KV 600A
2021-3-8IGBT模块2MBI450VN-120-50原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-11IGBT晶体管STGP10NB60SD
IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
2019-12-4
DdatasheetPDF页码索引
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