FDMS86102价格

参考价格:¥4.8025

型号:FDMS86102LZ 品牌:Fairchild 备注:这里有FDMS86102多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDMS86102批发/采购报价,FDMS86102行情走势销售排行榜,FDMS86102报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

文件:306.54 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V,22A,25mΩ

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 24 m廓

文件:255.42 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

文件:396.48 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件:372.26 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDMS86102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDMS86102

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-28 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
QFN8
19048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
FAIECHILD
25+23+
QFN8
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VB
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ON(安森美)
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