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FDD86102中文资料

厂家型号

FDD86102

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690.01Kbytes

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4

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

FDD86102数据手册规格书PDF详情

Features

 VDS= 100V, ID= 40 A

RDS(ON) < 17mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

FDD86102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD86102

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 13:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FDD86102LZ 价格

参考价格:¥3.5957

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