isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，36 A，24 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 8 A时，Max rDS(on) = 24 mO\n•最大rDS(on) = 38 mO （VGS = 6 V, ID = 6 A）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd \n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，35 A，22.5 mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ\n•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

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丝印代码：86102LZ；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

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