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FDMS86102LZ价格

参考价格：￥4.8025

型号：FDMS86102LZ 品牌：Fairchild 备注：这里有FDMS86102LZ多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDMS86102LZ批发/采购报价，FDMS86102LZ行情走势销售排行榜，FDMS86102LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDMS86102LZ

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，22A，25mΩ

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •在VGS = 10 V且ID = 7 A时，最大值rDS(on) = 25 mΩ \n•在VGS = 4.5 V且ID = 5.8 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ \n•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS86102LZ

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

文件：306.54 Kbytes Page：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD86102

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

文件：396.48 Kbytes Page：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD86102LZ

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes Page：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMC86102

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

文件：349.92 Kbytes Page：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDT86102LZ

丝印代码：86102LZ；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

文件：257.82 Kbytes Page：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS86102LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    100

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    2.5

  • ID Max (A)：

    22

  • PD Max (W)：

    69

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    25

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    7.8

  • Ciss Typ (pF)：

    979

  • Package Type：

    PQFN-8

FDMS86102LZ供应商更多...

更新时间：2026-7-31 17:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FDMS86102LZ
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20000
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