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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EFC6602R-TR | Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP Features • 2.5V drive • Common-drain type • 2KV ESD HBM • Protection diode in • Halogen free compliance | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
EFC6602R-TR | N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9m廓, Dual EFCP N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP Features • 2.5V drive • Common-drain type • 2KV ESD HBM • Protection diode in • Halogen free compliance | ONSEMI 安森美半导体 | | |
PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHZ, COAXIAL HIGH POWER FEATURES • Type N Connectors Standard • Options from DC to 8Ghz • High Power, Trombone Style Coaxial Structure • Military Grade Materials and Processing • -40 to + 125º C Operating Temperature Range | FILTRONIC | | ||
PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHz, COAXIAL HIGH POWER 文件：175.77 Kbytes Page：3 Pages | APITECH | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages | ACE | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages | ACE | | ||
1550 MHz to 2150 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO 文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages | AD 亚德诺 | |
EFC6602R-TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
EFC6602R-TR
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
BGA |
24690 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ON |
NA |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
ON |
2430+ |
BGA |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ON(安森美) |
24+ |
6XFBGA,FCBGA |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ON/安森美 |
25+ |
WLCSP6 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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