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EFC6602R-TR中文资料

厂家型号

EFC6602R-TR

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6

功能描述

Power MOSFET

MOSFET

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

EFC6602R-TR数据手册规格书PDF详情

N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP

Features

• 2.5V drive

• Common-drain type

• 2KV ESD HBM

• Protection diode in

• Halogen free compliance

EFC6602R-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EFC6602R-TR

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
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NA
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ONSEMI/安森美
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ONSEMI/安森美
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