型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MPS6602G

Amplifier Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MPS6602G

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:管件 描述:TRANS NPN 40V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHZ, COAXIAL HIGH POWER

FEATURES • Type N Connectors Standard • Options from DC to 8Ghz • High Power, Trombone Style Coaxial Structure • Military Grade Materials and Processing • -40 to + 125º C Operating Temperature Range

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHz, COAXIAL HIGH POWER

文件:175.77 Kbytes Page:3 Pages

APITECH

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:874.32 Kbytes Page:6 Pages

ACE

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:874.32 Kbytes Page:6 Pages

ACE

1550 MHz to 2150 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

文件:517.82 Kbytes Page:24 Pages

AD

亚德诺

MPS6602G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPS6602G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 30V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-12 11:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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ON二三极管全系列在售
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