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位置：首页 > IC中文资料第192页 > MPS6602

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MPS6602

Amplifier Transistors

Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors

Motorola

摩托罗拉

MPS6602

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 40V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

Samsung

三星

MPS6602

COMPLEMENTARY HIGH CURRENT AMPLIFIER TRANSISTORS

Central

MPS6602

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

MPS6602

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 40V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602G

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRA

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRAG

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRAG

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 40V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

6602

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHZ, COAXIAL HIGH POWER

FEATURES • Type N Connectors Standard • Options from DC to 8Ghz • High Power, Trombone Style Coaxial Structure • Military Grade Materials and Processing • -40 to + 125º C Operating Temperature Range

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

6602

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHz, COAXIAL HIGH POWER

文件：175.77 Kbytes Page：3 Pages

APITECH

ACE6602B

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages

ACE

ACE6602BPN+H

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages

ACE

ADRF6602

1550 MHz to 2150 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages

AD

亚德诺

MPS6602产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPS6602

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 30V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MPS6602供应商更多...

更新时间：2025-8-12 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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