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位置：首页 > IC中文资料第192页 > MPS6602

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MPS6602

Amplifier Transistors

Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors

MOTOROLA

摩托罗拉

MPS6602

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 40V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

SAMSUNG

三星

MPS6602

COMPLEMENTARY HIGH CURRENT AMPLIFIER TRANSISTORS

CENTRAL

MPS6602

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MPS6602

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 40V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602

TRANS NPN 40V 1A TO92

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602G

TRANS NPN 40V 1A TO92

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安森美半导体

MPS6602G

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRA

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRAG

Amplifier Transistors

文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRAG

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 40V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602RLRAG

TRANS NPN 40V 1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

MPS6602产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPS6602

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 30V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MPS6602供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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