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EFC6602R-TR中文资料

厂家型号

EFC6602R-TR

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8

功能描述

N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9m廓, Dual EFCP

MOSFET

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

EFC6602R-TR数据手册规格书PDF详情

N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP

Features

• 2.5V drive

• Common-drain type

• 2KV ESD HBM

• Protection diode in

• Halogen free compliance

EFC6602R-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EFC6602R-TR

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 14:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
6-XFBGA FCBGA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ONSEMI/安森美
24+
BGA
60000
ONSEMI/安森美
24+
BGA
42000
只做原装进口现货
ON
24+
WLCSP-6
30000
ON一级代理商 原装进口现货
ON/安森美
24+
BGA
25
只做原厂渠道 可追溯货源
ON
2430+
BGA
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
三年内
1983
只做原装正品
ON
15+
10000
原装正品
ON/安森美
23+
BGA
30000
原装现货,假一赔十.
ON
25+
BGA
3675
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