DMG9N65CT价格

参考价格:¥2.7578

型号:DMG9N65CT 品牌:Diodes 备注:这里有DMG9N65CT多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DMG9N65CT批发/采购报价,DMG9N65CT行情走势销售排行榜,DMG9N65CT报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DMG9N65CT

Low Input Capacitance

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DIODES

美台半导体

DMG9N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

DMG9N65CT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

Low Input Capacitance

文件:438.34 Kbytes Page:5 Pages

DIODES

美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

美台半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:296.33 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:438.34 Kbytes Page:5 Pages

DIODES

美台半导体

9A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

9A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

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YFWDIODE

佑风微

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10567 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

DMG9N65CT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMG9N65CT

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes Inc
25+
N/A
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样件支持,可原厂排单订货!
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2025+
DIP
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DIODES/美台
25+
NA
30000
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24+
SOP
49
DIODES
2321+
SOP8
1486
NK/南科功率
2025+
SOP-8
986966
国产
Diodes
22+
TO2203 Isolated Tab
9000
原厂渠道,现货配单

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