DMHC3025LSDQ-13

发布企业:深圳市壹芯创科技有限公司时间:2024-2-21 15:58:00

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DMHC3025LSDQ-13
DMHC3025LSDQ-13

产品型号:DMHC3025LSDQ-13

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 4 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6 A, 4.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms, 50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 11.7 nC, 11.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.5 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

系列: DMHC3025

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Diodes Incorporated

配置: Quad

下降时间: 8.7 ns, 13.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns, 4.9 ns

工厂包装数量:2500pcs

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel, 2 P-Channel

典型关闭延迟时间: 17.5 ns, 28.2 ns

典型接通延迟时间: 11.2 ns, 7.5 ns

单位重量: 74 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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