DMG6968UDM-7导读
小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。
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MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
功率mos管工作原理 功率MOS管是从小功率MOS管展开来的。但在结构上，它们之间相差很大，为了更好天文解功率MOSFET的机理，首要来回想一下小功率场效应管的机理。 。以下以N沟道增强型小功率MOSFET的结构来说明MOS管的原理。
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。
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NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
饱满区（UDS>UGS-UT）在上述三个区域保卫的区域即为饱满区，也称为恒流区或放大区。当UDS加大道必定数值今后，漏极PN结发生击穿，漏电流疾速增大，曲线上翘，进入击穿区。 。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中，就是工作在截止区和击穿区两个区。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内，漏极电流近似为一个常数。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
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