CSD85312Q3E价格

参考价格:¥3.6956

型号:CSD85312Q3E 品牌:Texas Instruments 备注:这里有CSD85312Q3E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,CSD85312Q3E批发/采购报价,CSD85312Q3E行情走势销售排行榜,CSD85312Q3E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CSD85312Q3E

Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I

TI

德州仪器

CSD85312Q3E

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI

德州仪器

CSD85312Q3E

Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs

文件:1.46103 Mbytes Page:13 Pages

TI

德州仪器

CSD85312Q3E

Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件:1.4649 Mbytes Page:13 Pages

TI

德州仪器

Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I

TI

德州仪器

CSD85312Q3E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CSD85312Q3E

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 8VSON

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 功能描述

    DISCREET - DUAL-DRAIN FET

更新时间:2025-11-26 8:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
24+
VSON-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
TI/德州仪器
2023+
VSON8
45000
一级代理优势现货,全新正品直营店
22+
5000
只做原装鄙视假货15118075546
TI
23+
N/A
7000
TI/德州仪器
24+
VSON-8
2536
只供应原装正品 欢迎询价
TI
23+
VSON-8
5000
全新原装,支持实单,非诚勿扰
TI
21+
VSON-8
1682
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
TI
23+
NA
20000
TI/德州仪器
25+
VSON-8
860000
明嘉莱只做原装正品现货
TI/德州仪器
24+
SON3X3
47186
郑重承诺只做原装进口现货

CSD85312Q3E数据表相关新闻