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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD85312Q3E.B | Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I | TI 德州仪器 |   | |
Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I | TI 德州仪器 | | ||
Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs 文件：1.46103 Mbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.4649 Mbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
1415 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TI |
23+ |
NA |
602 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
TI/德州仪器 |
BGA |
125000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
||||
TI |
25+ |
DSBGA (YZG) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
TI/德州仪器 |
2223+ |
BGA12 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
TI |
18+ |
BGA12 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
TI |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
TI |
25+ |
BGA12 |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
TI |
22+ |
12DSBGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-12 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
CSD85312Q3E.B规格书下载地址
CSD85312Q3E.B参数引脚图相关
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2023-5-30CSD85301Q2T
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2021-7-14
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