制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PTAB-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms, 1.95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 7.1 nC, 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 8 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD87384M
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
开发套件: CSD87384MEVM-603
下降时间: 7.6 ns, 8.2 ns
正向跨导 - 最小值: 67 S, 240 S
高度: 0.45 mm
长度: 5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 56 ns, 49 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: Synchronous Buck NexFET Power Stage
典型关闭延迟时间: 14 ns, 29 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns, 17.5 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 71.600 mg
