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CSD18536KTT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

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FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

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更新时间:2025-8-3 20:00:00
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