制造商 Texas Instruments/德州仪器
数据列表 CSD19531Q5A
标准包装 2500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 NexFET?
其它名称 CSD19531Q5A
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.4 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3870pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.3W（Ta），125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
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