製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 100 A
Rds On - 漏-源電阻: 6.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.9 V
Qg - 閘極充電: 28 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 160 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
系列: CSD18533KCS
封裝: Tube
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 3.2 ns
互導 - 最小值: 150 S
高度: 16.51 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.8 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 13 ns
標準開啟延遲時間: 5.7 ns
寬度: 4.7 mm
每件重量: 2 g
