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CSD18536KCS | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
CSD18536KCS | CSD18536KCS60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET 文件：454.75 Kbytes Page：11 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | |
CSD18536KCS60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET 文件：454.75 Kbytes Page：11 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET 文件：418.69 Kbytes Page：13 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-10-1
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