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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGHV40180P | 180 W, DC - 2.0 GHz, 50 V, GaN HEMT Description Cree’s CGHV40180P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGHV40180P, operating from a 50 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain | WOLFSPEED |   | |
CGHV40180P | 180 W, DC - 2000 MHz, 50 V, GaN HEMT 文件：1.26511 Mbytes Page：12 Pages | CREE 科锐 | | |
CGHV40180P | 封装/外壳：440206 包装：卷带（TR） 描述：180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | |
CGHV40180P | 180 W; DC - 2 GHz; GaN HEMT | MACOM | | |
180 W, DC - 2000 MHz, 50 V, GaN HEMT 文件：1.26511 Mbytes Page：12 Pages | CREE 科锐 | | ||
180 W, DC - 2000 MHz, 50 V, GaN HEMT 文件：1.26511 Mbytes Page：12 Pages | CREE 科锐 | | ||
40Amp Schottky Rectifier 文件：145.78 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
40 Amp Schottky Rectifier 文件：141.24 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
SINGLE PHASE STACKABLE CONTROLLER 文件：1.35488 Mbytes Page：52 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SINGLE PHASE STACKABLE CONTROLLER 文件：1.35488 Mbytes Page：52 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SINGLE PHASE STACKABLE CONTROLLER 文件：1.35488 Mbytes Page：52 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE |
25+ |
N/A |
3500 |
全新原装公司现货销售 |
|||
CREE |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
CREE/科锐 |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
CREE |
638 |
原装正品 |
|||||
CREE(科锐) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
Cree |
24+ |
SMD |
100 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
|||
CREE |
2308+ |
原厂原包 |
6850 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
|||
CREE/科锐 |
23+ |
20 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Cree/Wolfspeed |
22+ |
Die |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Wolfspeed |
25+ |
Tube |
4430 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
CGHV40180P规格书下载地址
CGHV40180P参数引脚图相关
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CGHV40180P数据表相关新闻
CGHV96050F2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz， 50 Watt
2019-12-7CGHV1J025D
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 25 Watt
2019-12-7CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz， 200 Watt
2019-12-7CGHV60075D5
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz， 75 Watt
2019-12-7CGHV1J070D-GP4
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 70 Watt
2019-12-7CGHV1J006DRF晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 6 Watt
2019-12-7
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