CGHV1J025D

发布企业:千层芯半导体(深圳)有限公司时间:2019-12-7 10:56:00

企业千层芯半导体(深圳)有限公司

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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS: 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 17 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 2 A

输出功率: 25 W

最大漏极/栅极电压: -

最小工作温度: -

最大工作温度: -

Pd-功率耗散: -

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Die

封装: Gel Pack

应用: -

高度: 100 um

长度: 1.92 mm

工作频率: 10 MHz to 18 GHz

工作温度范围: -

产品: GaN HEMT

宽度: 800 um

商标: Wolfspeed / Cree

闸/源截止电压: -

通道数量: 4 Channel

类: -

开发套件: -

下降时间: -

NF—噪声系数: -

P1dB - 压缩点: -

产品类型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms

上升时间: -

工厂包装数量: 10

子类别: Transistors

典型关闭延迟时间: -

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3V

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科锐

Cree
2025-8-3 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
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