CGHV50200F

发布企业:千层芯半导体(深圳)有限公司时间:2019-12-7 10:52:00

企业千层芯半导体(深圳)有限公司

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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS: 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 11.5 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 17 A

输出功率: 180 W

最大漏极/栅极电压: -

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: -

安装风格: Screw Mount

封装 / 箱体: 4402015

封装: Tray

工作频率: 4.4 GHz to 5 GHz

工作温度范围: - 40 C to + 150 C

商标: Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值: -

开发套件: CGHV50200F-AMP

产品类型: RF JFET Transistors

工厂包装数量: 40

子类别: Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3.4 V

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

200 W, 4.4 - 5.0 GHz, 50-Ohm Input/Output Matched, GaN HEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

200 W, 4400 - 5000 MHz, 50-Ohm Input

CreeCree, Inc

科锐

200 W, 4400 - 5000 MHz, 50-Ohm Input

CreeCree, Inc

科锐

200 W, 4400 - 5000 MHz, 50-Ohm Input

CreeCree, Inc

科锐

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昌福电子昌福电子有限公司

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2025-8-16 16:38:00
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