CGHV1J070D-GP4

制造商: Cree， Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：

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RoHS: 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

增益: 17 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 6 A

输出功率: 70 W

最大工作温度: + 225 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Die

封装: Gel Pack

配置: Single

工作频率: 10 MHz to 18 GHz

商标: Wolfspeed / Cree

通道数量: 1 Channel

产品类型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

工厂包装数量: 10

子类别: Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V