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CGHV1J070D

70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’s CGHV1J070D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25 μm gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high frequency, high efficiency features. It is ideal for

WOLFSPEED

CGHV1J070D

70-W, 18.0-GHz, GaN HEMT Die

MACOM

CGHV1J070D

70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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Cree

科锐

70 W; 18.0 GHz; GaN HEMT Die

MACOM

更新时间:2025-12-25 18:19:00
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