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CGHV1J070D

70W,18.0GHz,GaNHEMTDie

Description Wolfspeed’sCGHV1J070Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μm gatelengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhigh frequency,highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
CGHV1J070D

70W,18.0GHz,GaNHEMTDie

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CreeCree, Inc

科锐

Cree
更新时间:2025-6-24 13:14:00
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