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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 1.6mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) • Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

Product Scout Automotive

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更新时间:2026-1-5 12:28:01
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