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N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)1.6mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP16N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) •LowCiss:Ciss=740pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapplicati

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-6-23 17:08:01
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