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英飞凌 N 沟道 OptiMOS? 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET，实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装，使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的理想选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入（design in）的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS? 功率 MOSFET 提供优秀的栅极电荷，最适合直流-直流转换。
OptiMOS? 产品提供高性能封装，可用于最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS? 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
MOSFET 特性
经优化的 SyncFET，用于高性能降压转换器
100%_经雪崩测试
N 沟道
非常低的导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V
超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss）（对于给定 RDS(on)
按照 JEDEC 标准符合目标应用要求
出色的热阻
无铅电镀；符合 RoHS 要求
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
应用
服务器的板载电源
高性能计算的电源管理
同步整流
高功率密度负载点转换器
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BSC190N15NS3 G BSC13DN30NSFDATMA1 制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 29 S
CNHTS: 8541210000
下降时间: 6 ns
HTS代码: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 53 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: BSC190N15NS3GATMA1 BSC19N15NS3GXT SP000416636
单位重量: 100 mg
BSC190N15NS3 G
BSC13DN30NSFDATMA1
BSC350N20NSFDATMA1
BSZ0910NDXTMA1
BSC190N15NS3GATMA1
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 是深圳市芯片行业协会注册会员单位
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专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件，电源，无源元件，连接器，继电器，传感器，光电子，开关，保险元件，紧固件，开发工具，变压器，测试与测量等）。
我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案，包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻，电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应，库存寄售等一系列供应链解决方案。优势供应各类电子组件.
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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区，另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 为一般纳税人 可开具17%增值税票 有合作基础可申请月结，延长账期等多种供货付款方式。
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公司经营目标：整合全球资源全 芯 全意为您服务。
公司服务宗旨：客户虐我千百遍，我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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