BSC320N20NS3 G

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-1-10 9:10:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 36 A

Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 29 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power Transistor

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 5.15 mm

单位重量: 100 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

2025-8-15 10:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BSC320N20NS3
80000
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