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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
EMP16N04HS	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 1.6mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
NP16N04YUG	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) • Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive applicati	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP16N04YUG	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

EMP16N04HS供应商更多...

更新时间：2025-8-15 23:11:00

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