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EMP16N04HS

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 1.6mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

EMP16N04HS

Power MOSFETs-N Channel

EXCELLIANCE

杰力科技

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) • Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

EMP16N04HS产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    40

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    100

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    1.6

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    2.5

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    82.9

  • CissTyp.(pF):

    6078

更新时间:2026-7-24 17:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
2026+
SOT-563SOT666
40000
原装正品 假一罚十!
SOT-363
25+
NA
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全新原装 研究所指定供货商
ROHM
24+
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193600
新进库存/原装
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04+
SOT-363
16080
全新 发货1-2天
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SOT-463
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100%原装正品现货
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ROHM/罗姆
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