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BSC100N10NSF价格
参考价格：￥10.8280
型号：BSC100N10NSFG 品牌：INF 备注：这里有BSC100N10NSF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSC100N10NSF批发/采购报价，BSC100N10NSF行情走势销售排行榜，BSC100N10NSF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N 沟道功率 MOSFET | INFINEON 英飞凌 |   | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package 文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
BSC100N10NSF产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSC100N10NSF
- 功能描述
MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2025+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TDSON-8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
QFN8 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TDSON-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
INFINEON |
23+ |
TDSON-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-TDSON-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TDSON-8 |
12061 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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2020-10-9
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