BSC100N10NSF价格

参考价格:¥10.8280

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:420.84 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Power MOSFET

文件:583.28 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06059 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:893.02 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BSC100N10NSF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC100N10NSF

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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TDSON-8
20000
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INFINEON/英飞凌
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