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BRB100N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

BRB100N10

MOSFET/场效应管

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:420.84 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-18 13:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BR/蓝箭
2450+
N/A
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
TI
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DSBGA28
15521
公司现货库存,支持实单
BRTLED/佰鸿
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DIP
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BR
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7CM
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绝对原装正品全新进口深圳现货
STANLEY
25+
LED
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明嘉莱只做原装正品现货
STANLEY
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专注配单,只做原装进口现货
STANLEY
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SMD1206X2
50000
全新原装正品现货,支持订货
VIS
24+
400
STANLEY
2023+
SMD
5600
安罗世纪电子只做原装正品货

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