类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A，31A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1025pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
基本产品编号
BSC0921
